

-
首页
-
产品中心
- 光学加工
- 无掩模版紫外光刻机
- 超高精度3D光刻设备
- 光学检测
- 3D显微镜/轮廓仪
- 光电分析设备
- 磁学分析设备
- 加工服务及耗材
- 代加工服务
- 3D光刻材料
- 光刻胶及配套试剂
- 更多产品
- 超低温恒温器
- 激光器
- 光学平台
- 双极性电磁铁电源
- 电输运接线盒
- 显微物镜
-
技术百科
-
客户案例
-
新闻中心
-
关于我们
- 公司简介
- 技术支持
- 在线留言
- 联系我们


-
首页
-
产品中心
- 光学加工
- 无掩模版紫外光刻机
- 超高精度3D光刻设备
- 光学检测
- 3D显微镜/轮廓仪
- 光电分析设备
- 磁学分析设备
- 加工服务及耗材
- 代加工服务
- 3D光刻材料
- 光刻胶及配套试剂
- 更多产品
- 超低温恒温器
- 激光器
- 光学平台
- 双极性电磁铁电源
- 电输运接线盒
- 显微物镜
-
技术百科
-
客户案例
-
新闻中心
-
关于我们
- 公司简介
- 技术支持
- 在线留言
- 联系我们
客户成果丨中南大学《Nature Communications》:用于2D场效应晶体管的超薄高k介质CaNb2O6的2D边缘籽晶异质外延
中南大学物理学院周喻教授课题组联合湖南大学潘安练教授、李东教授在二维介电材料领域取得最新进展,该成果以“2D edge-seeded heteroepitaxy of ultrathin high-κ dielectric CaNb2O6 for 2D field-effect transistors”为题发表在《Nature Communications》上。
在二维(2D)层状材料上实现单晶高κ电介质的制备是缩放场效应晶体管(FET)十分重要。然而,受各向同性三维生长的限制,可扩展的二维非非层状高κ电介质目前仍然很少,也难以同时满足二维极限下高介电常数和低陷阱密度的关键要求。该项工作采用了一种二维边缘种子异质外延及超慢动力学生长策略,通过化学气相沉积方法合成了超薄高κ的非层状二维CaNb2O6纳米片,并证明了二维CaNb2O6纳米片作为二维电子器件中高κ电介质的潜力。
图1:二维CaNb2O6纳米片的异质外延成核与低供给速率动力学控制生长a. 痕量CaO前驱体供给合成二维CaNb2O6纳米片的示意图。b.三明治结构前驱体放置结构示意图。c. CaNb2O6元胞的晶体结构。d. CaNb2O6纳米片的OM图像。e.超薄二维CaNb2O6纳米片的化学气相沉(CVD)生长机制。f. CaNb2O6纳米片的AFM图像。g. 不同晶面的表面能计算结果及其对应的原子结构排列。h.二维CaNb2O6纳米片的拉曼光谱和映射图像(插图,904cm-1)。i. 在云母上的二维CaNb2O6纳米片的HAADF横截面图像及其EDX元素映射。j. CaNb2O6/云母界面的HAADF-STEM图像。插图为它们界面的放大视图。
如图1所示,设计了一种三明治结构前驱体,通过将Nb₂O₅、NaCl粉末堆叠在含有0.5% CaO的Al2O3板上,从而实现了CaNb2O6的外延生长。通过在生长过程中引入少量硒作为催化剂,衬底上优先实现NbSe2形核,通过晶种诱导边缘异质外延实现CaNb2O6纳米片的面内外延生长。通过优化生长温度和时间,实现了从2.9 nm到数十纳米的厚度调控。
图2:二维CaNb2O6纳米片的带隙、介电和漏电特性a. CaNb2O6的电子能带结构。b. CaNb2O6纳米片的微区紫外-可见光谱(UV-VIS)吸收光谱。c. 二维CaNb2O6纳米片的电流-电压特性。插图为该器件的OM图像。d. 在f = 1.0 GHz下,通过微波阻抗显微镜测量的二维CaNb2O6纳米片的厚度依赖性介电常数。插图:基于TF-AFM的微波阻抗显微镜示意图,以及CaNb2O6纳米片在基板上对应的高度/微波阻抗显微镜信号映射。e. 二维电介质的厚度依赖介电常数的统计比较。f. 二维CaNb2O6纳米片的频率依赖介电常数。插图显示了Au/ CaNb2O6/Au的MIM器件结构。g. 通过MIM器件测量不同厚度的二维CaNb2O6纳米片的电流密度-场强特性。h. 典型二维介电材料与CaNb2O6的介电常数和击穿场强的比较。
实验结果表明,CaNb2O6纳米片具有较大的带隙(~4.26),展现出厚度独立的介电常数(约16)和高达12 MV/cm的击穿场强,即使在等效氧化物厚度低至0.7 nm时,介电常数也未出现明显退化。
图3:钝化的二维CaNb2O6作为栅介质的背栅MoS2场效应晶体管a. 背栅MoS2/ CaNb2O6/石墨烯FET的示意图。b. 对应的MoS2 FET的OM图像。c. HAADF-STEM图像及对应的元素EDX映射。d. MoS2/ CaNb2O6/石墨烯FET器件的横截面明场(左)和暗场(右)图像。e. 在室温下,Vds = 0.2 V时,背栅MoS2 FET的转移特性曲线,显示出约61 mV/dec的亚阈值摆幅。插图:FET的输出特性曲线。f. MoS2 FET的双向扫描转移特性曲线。g. 在Vds = 1 V时,背栅器件在不同扫描速度下的前向和反向扫描转移曲线。h. 基于二维介电质的FETs的SS和电流开关比性能比较。i. 已报道的二维绝缘FET的滞后特性比较。
基于MoS2/CaNb2O6的晶体管器件展现出超过107的开关比、低至61 mV/dec的亚阈值摆幅以及几乎可以忽略的回滞,证明了CaNb2O6作为二维电子器件中高κ介电层的潜力。
该工作中通过使用TuoTuo Technology 的紫外无掩模光刻机完成了二维CaNb2O6电容器及二维材料晶体管的制备工作。
作者信息:中南大学物理学院博士生范秀莲为文章的第一作者,周喻教授、潘安练教授和李东教授为论文的共同通讯作者。该工作还受到了西安交大周健教授、电子科技大学王曾晖教授、夏娟研究员、浙江工业大学朱艺涵教授等课题组的支持。
论文链接:
https://doi.org/10.1038/s41467-025-57773-y