客户成果丨中南大学《Nature Communications》:用于2D场效应晶体管的超薄高k介质CaNb2O6的2D边缘籽晶异质外延

中南大学物理学院周喻教授课题组联合湖南大学潘安练教授、李东教授在二维介电材料领域取得最新进展,该成果以2D edge-seeded heteroepitaxy of ultrathin high-κ dielectric CaNb2O6 for 2D field-effect transistors为题发表在Nature Communications上。

 

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在二维2D)层状材料上实现单晶κ电介质的制备是缩放场效应晶体管FET)十分重要。然而,受各向同性三维生长的限制,可扩展的二维非非层状κ电介质目前仍然很少,也难以同时满足二维极限下高介电常数和低陷阱密度的关键要求。该项工作采用了一种二维边缘种子异质外延及超慢动力学生长策略,通过化学气相沉积方法合成了超薄κ的非层状二CaNb2O6纳米片,并证明了二CaNb2O6纳米片作为二维电子器件中κ电介质的潜力。

 

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1:二CaNb2O6纳米片的异质外延成核与低供给速率动力学控制生a. CaO前驱体供给合成二CaNb2O6纳米片的示意图b.三明治结构前驱体放置结构示意图c. CaNb2O6元胞的晶体结构d. CaNb2O6纳米片OM图像e.超薄二CaNb2O6纳米片的化学气相沉CVD)生长机制f. CaNb2O6纳米片AFM图像g. 不同晶面的表面能计算结果及其对应的原子结构排列h.CaNb2O6纳米片的拉曼光谱和映射图像(插图904cm-1i. 在云母上的二CaNb2O6纳米片HAADF横截面图像及EDX元素映射j. CaNb2O6/云母界面HAADF-STEM图像。插图为它们界面的放大视图。

 

1所示,设计了一种三明治结构前驱体,通过NbONaCl粉末堆叠在含0.5% CaOAl2O3板上,从而实现CaNb2O6的外延生长。通过在生长过程中引入少量硒作为催化剂,衬底上优先实NbSe2形核,通过晶种诱导边缘异质外延实CaNb2O6纳米片的面内外延生长。通过优化生长温度和时间,实现了2.9 nm到数十纳米的厚度调控。

 

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2:二CaNb2O6纳米片的带隙、介电和漏电特a. CaNb2O6的电子能带结构b. CaNb2O6纳米片的微区紫-可见光谱UV-VIS)吸收光谱c. CaNb2O6纳米片的电-电压特性。插图为该器件OM图像d. f = 1.0 GHz下,通过微波阻抗显微镜测量的二CaNb2O6纳米片的厚度依赖性介电常数。插图:基TF-AFM的微波阻抗显微镜示意图,以CaNb2O6纳米片在基板上对应的高/微波阻抗显微镜信号映射e. 二维电介质的厚度依赖介电常数的统计比较f. CaNb2O6纳米片的频率依赖介电常数。插图显示Au/ CaNb2O6/AuMIM器件结构g. MIM器件测量不同厚度的二CaNb2O6纳米片的电流密-场强特性h. 典型二维介电材料CaNb2O6的介电常数和击穿场强的比较。

 

实验结果表明CaNb2O6纳米片具有较大的带隙~4.26),展现出厚度独立的介电常数(16)和高12 MV/cm的击穿场强,即使在等效氧化物厚度低0.7 nm时,介电常数也未出现明显退化。

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3:钝化的二CaNb2O6作为栅介质的背MoS2场效应晶体a. MoS2/ CaNb2O6/石墨FET的示意图b. 对应MoS2 FETOM图像c. HAADF-STEM图像及对应的元EDX映射d. MoS2/ CaNb2O6/石墨FET器件的横截面明场(左)和暗场(右)图像e. 在室温下Vds = 0.2 V时,背MoS2 FET的转移特性曲线,显示出61 mV/dec的亚阈值摆幅。插图FET的输出特性曲线f. MoS2 FET的双向扫描转移特性曲线g. Vds = 1 V时,背栅器件在不同扫描速度下的前向和反向扫描转移曲线h. 基于二维介电质FETsSS和电流开关比性能比较i. 已报道的二维绝FET的滞后特性比较。

 

MoS2/CaNb2O6的晶体管器件展现出超107的开关比、低61 mV/dec的亚阈值摆幅以及几乎可以忽略的回滞,证明CaNb2O6作为二维电子器件中κ介电层的潜力。

 

该工作中通过使用TuoTuo Technology 的紫外无掩模光刻机完成了二CaNb2O6电容器及二维材料晶体管的制备工作。

 

作者信息:中南大学物理学院博士生范秀莲为文章的第一作者,周喻教授、潘安练教授和李东教授为论文的共同通讯作者。该工作还受到了西安交大周健教授、电子科技大学王曾晖教授、夏娟研究员、浙江工业大学朱艺涵教授等课题组的支持。

 

论文链接:

https://doi.org/10.1038/s41467-025-57773-y

 

2025-05-23 13:41