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客户案例
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2024-06-24
客户成果丨新加坡国立大学《Nat. Commun.》:反铁磁α-Fe2O3中亚太赫兹磁振子的自旋轨道转矩操控
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2024-06-14
客户成果丨新加坡国立大学《Advanced Materials》:一种有效控制单晶基神经形态忆阻器件导电细丝生长的新方案
脑启发式神经形态计算构架通过模拟人脑构造对信息数据的处理进行并行和分布式运算,并在保持高效运算的同时维持超低功耗,是一种有望突破传统“冯•诺依曼”计算构架的潜在框架。二端忆阻器由于其与生物突触在结构、行为、机制上高度类似,被视为理想的神经形态元件器件。然而,基于非晶/多晶氧化物的忆阻器件由于其随机的导电细丝形貌,突触权重(电导值)通常呈现出高度不对称的非线性迭代,从而加剧了外围电路系统的复杂性。为了实现高度线性和对称性的电导调制,急需发展一种有效调控导电细丝生长的方案以构筑高性能神经形态系统。
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2024-05-16
客户成果丨华南师范大学《AFM》:基于溶液减薄碲的具有高迁移率和理想亚阈值斜率的p沟道和n沟道结型场效应晶体管
华南师范大学半导体科学与技术学院的霍能杰研究员、孙一鸣副研究员在高性能范德华结型场效应晶体管领域获得最新进展,该研究成果以“Thinning Solution-proceed 2D Te for p- and n-channel Junction Field Effect Transistor”为题发表在Advanced Functional Materials期刊上。二维(2D)非层状碲(Te)由于其高载流子迁移率和空气稳定性,在晶体管应用中具有很好的前景。然而,传统的金属-氧化物-半导体场效应晶体管(MOSFET)结构在超薄沟道和栅极控制能力方面仍然存在很大的挑战。这项工作提出了一种简单的溶液减薄方法,并制造了一种结场效应晶体管(JFET)架构,很好地解决了上述问题。通过温和的氧化减薄过程,生长后的Te薄片从块状变薄到几层,保证了作为晶体管沟道的高效静电掺杂。然后,设计了一个基于p- Te和n-ReS2的四端JFET,实现了整流二极管、p沟道和n沟道晶体管在一个器件中的多功能集成。
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2024-05-11
客户成果丨华南师范大学《Mater. Horiz.》:基于强层间跃迁p-Ten-MoSe2范德华异质结高性能偏振敏感自供电成像光探测器
华南师范大学李京波教授的团队在研究了层状结构Te纳米片的结构、振动和光学各向异性之后,提出了一种基于强层间跃迁的p-Te/n-MoSe2 范德华异质结(vdWH)的新型偏振敏感自供电成像光电探测器。由于二极管的高整流比(104),该器件表现出优异的光伏特性。在相对较弱的光强(4.73 mW/cm2)下,光电探测器显示出105的超高开关比,并且在没有任何电源的情况下,器件的最高响应率可达到2106 mA/W。尤其得益于本研究合成的Te纳米片优异的二色性,其光电流的各向异性比(Imax/Imin)可高达16.39 (405 nm, 24.2 mW/cm2)。在零偏置电压下获得的该数值比现有二维光电探测器在偏置电压下的数值大得多。此外,在-0.08 V的低偏置电压下,最高探测率为2.91 x 1013 Jones。这项工作为复杂环境中微弱信号的高分辨率偏振敏感光探测提供了新的方法。
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2024-05-10
客户成果丨河南师范大学《AFM》:层状宽带隙半导体GaPS4作为高温人工突触应用中的电荷捕获介质
随着人工智能逐渐取代生物劳动,突触器件对恶劣环境的适应性要求越来越高,例如高温、高压和高湿。不幸的是,大多数突触器件在高温下表现出较短的保留时间,导致诸如数据丢失、信息错误或切换挑战等问题。探索新的材料和结构对于开发在恶劣环境下具有优异性能的可靠突触器件至关重要。在过去的十年中,由于其特殊的结构稳定性和显着的电学性能,2D MoS2在电荷俘获突触晶体管沟道中的应用引起了极大的关注,显著提高了电子器件的稳健性水平。然而,电子俘获寿命随着温度升高而降低,这将导致高温下突触功能障碍。针对以上问题,近日,河南师范大学闫勇副教授、夏从新教授和刘玉芳教授团队提出了一种高可靠的2D MoS2/GaPS4 人工突触器件,即使在暴露于400 ℃后也能保持其功能。
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2024-05-10
客户成果丨华南师范大学《Journal of Materials Chemistry C》:用于光电探测器的高产率PbI2微晶
近日,来自华南师范大学半导体科学与技术学院陈洪宇课题组在PbI2基光电探测器领域取得最新进展,该研究成果以 “Kilogram-scale high yield production of PbI2 microcrystals for optimized photodetector” 为题在 Journal of Materials Chemistry C 期刊发表了论文。
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