客户成果丨华南师范大学《APL》：界面工程策略——通过构建垂直结来降低二维光电探测器噪声并提高灵敏度

华南师范大学半导体科学与技术学院霍能杰课题组在高性能二维光电探测器研究领域取得最新进展，该研究成果以“Interface engineering by constructing vertical junction for reduced noise and improved sensitivity in 2D photodetector ”为题发表在《Applied Physics Letters》上。

2024-10-12

医学前沿丨NTU创新突破：穿戴式水凝胶激光器，托托科技助力快速血糖检测创可贴

糖尿病作为一种日益普遍的慢性疾病，全球范围内的患者数量正以惊人的速度增长。根据国际糖尿病联盟（IDF）的最新数据，全球糖尿病患者已超过4.6亿，预计到2045年将达到7亿。糖尿病的管理关键在于血糖水平的持续监测，以避免血糖过高或过低带来的健康风险。传统的血糖监测方法通常依赖于指尖采血，这一过程不仅给患者带来疼痛和不便，也限制了监测的频率。许多患者因为害怕疼痛而避免频繁检测，这无疑增加了血糖控制不当的风险。因此，开发一种无痛、快速、准确的血糖监测方法一直是医学界和科研机构的重要目标。

2024-09-13

客户成果丨华南师范大学《Nature Communications》：超越人类视网膜的微秒级精准感知的自适应机器视觉

华南师范大学半导体科学与技术学院霍能杰课题组在低维仿生器件领域/研究中取得最新进展，该研究成果以“Adaptative machine vision with microsecond-level accurate perception beyond human retina”为题发表在《Nature Communications》上。

2024-09-06

客户成果丨中国科学技术大学《ACS Nano》：室温下二维范德华铁磁体交换偏置的操控

中国科学技术大学国家同步辐射实验室、核科学与技术学院李倩研究员课题组在二维材料领域取得进展，该研究成功以“Manipulation of Exchange Bias in Two Dimensional van der Waals Ferromagnet Near Room Temperature” 为题发表在《ACS Nano》期刊上。

2024-08-28

客户成果丨新加坡国立大学《Physical Review Letters》：电荷转移稳定Hf0.5Zr0.5O2薄膜的铁电相

新加坡国立大学材料科学与工程学院Chen Jingsheng教授团队在氧化铪基铁电薄膜领域取得最新进展，该研究成果以“Stabilizing the Ferroelectric Phase of Hf0.5Zr0.5O2 Thin Films by Charge Transfer”为题发表在《Physical Review Letters》期刊上。由于与CMOS技术的兼容性，近年来铁电氧化铪基薄膜引起了广泛关注。在铁电器件中实现并维持这些薄膜的亚稳态铁电相显得尤为关键。最近的研究主要集中在稳定氧化铪基薄膜中的铁电相，并探讨了这种稳定性的机制。在Chen Jingsheng教授领导的研究团队中，他们通过实验证明了在Hf0.5Zr0.5O2 (HZO) 中，铁电相的稳定性可以通过面电荷转移及相应的HZO空穴掺杂来调控。通过在La1-xSrxMnO3缓冲层与HZO膜之间精心设计电荷转移，实验发现最佳的Sr浓度x为0.33，这一浓度可以提供必要的HZO空穴掺杂，从而最有效地稳定其铁电相。

2024-08-16

客户成果丨华南师范大学《Advanced Science》：用于选择功能和低功耗存储器的热氧化记忆电阻和1T1R集成

​电阻开关存储器（忆阻器）由于其高密度集成和快速的超越冯·诺伊曼架构的内存计算获得了广泛的关注。同时，忆阻器由于其高速开关、低功耗、多功能内存计算等固有的优势，在下一代高密度存储和高效神经形态计算中显示出巨大的应用潜力。然而，在实际应用中，制造过程的复杂性、高电阻状态的泄漏电流以及限制其可扩展性的潜行路径电流问题依然是目前阻碍忆阻器发展的主要原因。同时，1T1R（一个晶体管和一个忆阻器结合）是RRAM电路中特别重要的单元，其在神经形态计算和高密度存储系统中实现较多的功能，如超陡峭晶体管、传感计算集成技术和人工神经网络等。然而，一些报道1T1R结构的研究通常使用额外的金属电极连接晶体管和忆阻器，这将需要额外的步骤过程如光刻、显影和蒸镀电极等，意味着集成的复杂性增加，其过程可能引入缺陷从而导致器件性能的退化。

2024-08-09