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【展会回顾】AEFM 2024
1 展会介绍
2024年,AEFM将由东京大学主办,将涵盖三个主要主题:(1)远程外延和范德华外延;(2)二维材料的合成及应用;(3)独立膜和其他升降技术的应用。展望未来,我们的目标是在高级节点晶体管、高级存储器、人工智能 (AI)、microLED、生物电子和相机系统等应用中提供单片 3D 集成的视角。
2 现场直击
在2024年,日本的东京大学主办了备受瞩目的“Advanced Epitaxy for Freestanding Membranes & 2D Materials”(简称AEFM)会议。此次盛会于7月22日至24日隆重举行,汇聚了全球顶尖的科学家、研究学者以及行业专家,共同探讨独立膜与二维材料领域的最新进展与突破。
托托科技作为受邀参展的企业,在展会期间大放异彩。在展会上,公司展出了自主研发的光刻机与磁光克尔显微设备的资料,这两项研发成果不仅代表了托托科技在精密制造与材料分析领域的实力,也彰显了在推动半导体及二维材料研究中的重要作用。其中,光刻机以其高精度、高效率的特点,吸引了众多与会者的目光,成为参展者中备受瞩目的一员。而磁光克尔显微设备则凭借其卓越的磁性表征能力,在二维材料磁学性质的研究中展现了巨大的应用潜力。
AEFM 2024不仅是一场科技与学术的盛宴,更是推动独立膜与二维材料领域发展的重要里程碑。在东京这座充满创新精神的城市,会议见证了全球科研人员在探索未知、追求真理道路上的不懈努力与卓越成就。
此次AEFM会议不仅为托托科技提供了一个展示自身技术实力的绝佳平台,同时使托托科技有机会与来自世界各地的同行进行深入交流与合作。通过参与此次盛会,托托科技不仅加深了对行业前沿趋势的理解,也进一步拓宽了其在全球范围内的业务网络。
回顾整个展会,AEFM 2024不仅是一场科技与学术的盛宴,更是推动独立膜与二维材料领域发展的重要里程碑。它见证了全球科研人员在探索未知、追求真理道路上的不懈努力与卓越成就,也为未来的科技创新与发展注入了新的活力与希望。
3 关于托托
托托科技是一家是专注于光学显微加工及检测的光学设备制造厂商。目前公司拥有五个核心产品线:
(A)无掩膜版光刻设备
(B)磁学产品
(C)多模态光电显微镜
(D)超高精度3D光刻产品
(E)3D显微镜
已经形成了集设计、研发、制造、销售及客户咨询服务为一体的高科技企业,致力于给客户提供全方位的技术支持,以高端技术和细致设计造就卓越品质,以耐心服务和企业担当赢得良好口碑。
公司旗下产品的品牌名称为TuoTuo,拥有中国及新加坡两个研发中心,其中托托科技(苏州)是中国区业务的运营主体,TuoTuo Technology (Singapore) Pte.Ltd. 是国际业务的运营主体。
4 展品介绍
无掩膜光刻机
科研版-Academic
高灵活性、高精度、无掩膜的优势,非常适用于科学研究。
高速版-Speed
更快的加工速度、更强的设备性能,适用于小批量生产制造。
生命科学-Life Science
更短的波长、更大的深宽比,适用于高深宽比的厚胶工艺。
教育版-Young
桌面型无掩膜光刻机,灵活小巧,非常适用于微电子、集成电路等先进加工制造的实验课程。
案例分享
微流控芯片✦
3D细胞培养微流控芯片
串联稀释阶梯微流控芯片
高速分选细胞微流控芯片
平面光刻✦
500 nm掩膜版
套刻精度测量标记图
MEMS器件(b)
SEM✦
10 μm方形
600 nm线栅
MEMS(a)
灰度光刻✦
青花瓷
微透镜阵列
磁光克尔显微镜综合测试设备
磁光克尔显微镜综合测试设备,显微磁畴空间分辨率优于0.5微米,磁光克尔角分辨率优于0.1毫度,支持极向克尔、纵向克尔、横向克尔三种磁光克尔效应测量方式。在追踪平面内数百万点的磁畴动态信息的同时,可搭配探针台实现电学、磁学、光学同步观测。广泛应用于磁学和自旋电子学领域中磁光克尔效应,磁滞回线,磁畴翻转或扩展等观测。
磁光克尔显微镜综合测试设备产品亮点
智能照明系统
● 光源稳定且均匀
● 具备极向,纵向和横向测试能力
● 高亮度(4倍于市场上产品)
多功能显微系统
● 线偏振光和圆偏振光
● 提高相差畸变矫正
● 电动显微聚焦
矢量磁场系统
● 垂直磁场模式可达1.4T @1cm 间隙
● 面内磁场可达1.0T @1cm,0.36T @4cm 间隙适配低温恒温器;面内矢量磁场模式可达0.35T
● 面垂直磁场和面内磁场可快速切换
高端相机
● 超动态范围30000:1(十倍提升)
● 高量子效率>80%(1.2倍提升)
● 高速摄像和高分辨率
直流 / 交流探针
● 与外接电表匹配(6221,2400等)
● 配合高频电表
● 配合引线键合器件
高端光学平台
● 气浮隔振
●电子主动反馈隔振
案例分享
梯度自旋流实现无场翻转
(a) 在外磁场HZ=0 Oe,HX=0 Oe下,脉冲电流实现磁畴无场翻转及对应的翻转回线。1,2,3,…6表示负向的脉冲电流不断增加直至磁畴翻转图片;
(b)a,b,c…f表示正向电流不断增加直至磁畴翻转。其中顶层Pt厚度为2.5 nm。
DMI有效场以及磁畴速度测试
(a)DMI有效场(HDMI) 测量装置。
(b)垂直各向异性样品在面内磁场作用下,发生各向异性翻转。
(c)不同覆盖层的异质结样品,其磁畴运动速度随面内辅助磁场的变化
(d)DMI有效场导致磁畴翻转过程中出现倾斜角且DMI越大倾斜角越大。