【展会回顾】2023化合物半导体器件与封装技术论坛

会议主题
共享“芯”机遇  直面 “芯”挑战
会议时间
2023年10月12-13日
会议地点
深圳·国际会展中心（宝安新馆）·  3号馆·封测剧院

Part.1大会简介

NEPCON ASIA 2023 期间“2023化合物半导体器件与封装技术论坛”于深圳国际会展中心（宝安新馆）如期举行。论坛由极智半导体产业网、第三代半导体产业 、中国国际贸易促进委员会电子信息行业分会、励展博览集团联合主办，北京麦肯桥新材料生产力促进中心有限公司承办，江苏博睿光电股份有限公司、ULVAC株式会社、托托科技（苏州）有限公司、全国半导体应用产教融合（东莞）职业教育集团等等单位支持协办。

论坛聚焦化合物半导体器件与封装技术最新进展，针对SiC功率器件先进封装材料及可靠性、硅基氮化镓功率器件、VCSEL器件及封装、车用GaAs激光雷达，化合物半导体可靠性测试及方法等等，邀请产学研用资多领域优势力量，探讨最新进展，促进化合物导体器件与封装技术发展。

大会第二日（10月13日），托托科技（苏州）有限公司创始人吴阳博士受邀出席会议，并分享“第三代半导体装备：从器件制造到性能表征”的主题报告。

Part.2 托托科技创始人吴阳博士的报告简述
吴阳博士分享了第三代半导体的器件制备、形貌检测及光磁·光电·光谱分析等设备的最新进展。

第三代半导体装备：从器件制造到性能表征
得益于碳化硅、氮化镓这些第三代半导体材料的宽禁带特性，使得相应的器件具备了动态参数小、效率高、损耗小、发热小等优势，进而广泛的应用于发光器件、光伏逆变、功率管理等领域。目前宽禁带半导体应用于节能减排的相关领域，为碳中和的需求发挥重要作用。

在此次报告中，我们重点关注光电器件制造设备及器件性能检测设备，阐述这些设备的升级对于第三代半导体行业的推动作用。

半导体制造流程

在器件加工领域，无掩膜版光刻机的精度能够满足第三代半导体的加工需求。而设备无需掩膜版的特性，在研发的阶段将会极大地加速项目进度。工业级的光刻设备，在满足高精度的同时，可实现低成本运营，也能达到可观产能。

2D光刻图例

3D光刻图例

曲面基底光刻

钻石切面光刻

超高精度玻璃3D打印

在器件检测方面，2D及3D形貌、光电转换、膜厚分析、发热分布等领域的检测设备，对第三代半导体产业的发展，具有重要意义。

从上到下依次为3D形貌检测图例、光电流光谱检测图例Ⅰ、光电流光谱检测图例Ⅱ、膜厚检测、热分布与强度检测图例。

Part.3实况传达