直写光刻，为光通信芯片研发按下“加速键”

在光通信系统中，从骨干网到数据中心，从5G前传到相干光模块，芯片级器件的性能直接决定了整个链路的带宽、功耗与可靠性。硅光波导、高速调制器、微透镜阵列、微环谐振器……这些核心元件的加工，无一不依赖光刻技术来实现亚微米级图案定义。然而，传统掩模版加工周期长达数周，研发常常卡在“等版”环节，严重拖慢迭代节奏。

托托科技无掩模版紫外光刻机，基于DMD数字光刻与灰度/矢量双模式，从原型打样到小批量试产，一机覆盖，让光通信芯片研发真正告别“等版焦虑”。

灰度光刻（2.5D）：微透镜阵列的理想工艺

在光通信收发模块中，光纤与芯片之间的耦合效率直接影响整条链路的功率预算。传统的端面耦合或光栅耦合，往往需要引入微透镜、菲涅尔透镜或衍射光学元件（DOE）来整形光斑、匹配模场。这类微光学元件的核心特征是：表面必须具有连续、光滑的三维面形，且精度要求在亚微米级。

然而传统机械加工难以处理石英、硅、玻璃等脆性材料，且表面容易产生划痕和毛刺。传统掩模（0/1掩模）只能完成近似连续面形，台阶边缘会产生衍射和散射，降低光学效率。同时受掩模对准误差影响，实际面型与设计偏差较大。

托托科技的无掩模版紫外光刻机支持灰度光刻，最高4096阶，能够精准控制每个像素的曝光剂量，实现亚纳米级的表面粗糙度。无论是用于提升光纤耦合效率的凸微透镜阵列，还是用于波前整形的菲涅尔透镜或衍射光学元件，灰度光刻都能快速制备出高质量的原型，同时也可用于制作压印模具，为定制化光学界面提供灵活工艺路径。

高精度光刻：助力硅光波导等结构加工

硅光芯片中的波导结构（如脊形波导、条形波导）宽度通常在几百纳米到几微米之间，对侧壁垂直度和宽度一致性要求极高。传统无掩模光刻如果存在写场拼接缝，容易在波导中引入宽度突变，导致光场散射和额外损耗。

托托科技的无掩模光刻设备通过优化的连续扫描曝光方式，能够实现大面积图案的无缝衔接，保障波导的连续性与尺寸一致性。这一能力同样适用于微环谐振器、螺旋延迟线、马赫‑曾德尔调制器等无源器件的原型加工，显著降低工艺窗口内的传输损耗，满足硅光芯片对加工精度的严苛要求。

掩模版加工：让研发迭代从“数周”变“数天”

在光通信芯片的早期研发阶段，版图修改极其频繁。波导宽度调整、耦合器形状优化、电极位置微调、对准标记版本更替……每次变化都意味着一套新的掩模版。然而，传统掩模板加工需要经历数据转换、中间版制作、光刻、显影、蚀刻等多道工序，周期长达数周。

托托科技的无掩模光刻技术可 以直接在铬板或石英基板上曝光图案，省去中间环节。对于光通信研发中频繁修正的波导层、电极层、对准标记等掩模版，这一能力将迭代周期从数周缩短至天，特别适合多版本比选和小批量试产需求。

托托科技无掩模版紫外光刻机

加工精度：极限可达300 nm，满足波导、光栅等微纳结构的高分辨率要求。

加工速度：高速型号可达1200 mm²/min，兼顾精细度与产出效率。

灰度光刻功能：支持 4096 阶灰度与亚纳米级粗糙度控制，直接加工微透镜阵列、菲涅尔透镜等三维微光学结构。

多种基底适应性：不仅兼容常规的硅片、氧化硅片、玻璃片、石英片、蓝宝石片，还可直接加工砷化镓、氮化镓等第二代/第三代半导体衬底，乃至各类柔性衬底与新型功能材料，实现在不同材质上自由书写微纳图案。

无掩模、双模式（矢量/灰度）、快迭代——托托科技无掩模紫外光刻机，让光通信研发真正告别“等版焦虑”。

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