揭示磁畴动态奥秘：磁光克尔显微镜，赋能磁学和自旋电子学前沿研究

磁光克尔效应（MOKE）作为磁性材料表征的重要方法，自1877年约翰·克尔首次在铁表面反射光中观察到其现象以来，在现代磁学与自旋电子学领域持续发挥着不可替代的作用。其物理本质在1950年随着固体能带理论的完善得以阐明，进而推动研究从单点测量扩展至磁畴结构的可视化观测。

1980年，数码相机与计算机技术的发展使磁光检测设备进入数字化时代，显著提升了设备灵敏度。2000年后，以 Evico Magnetics 为代表的公司实现了设备的标准化与商业化，加上光源技术的持续革新，进一步拓展了其在科研与工业领域的应用深度。

2024年，托托科技基于十年的自主研发，成功推出光学系统数字化（Digital Oblique®）的磁光克尔显微镜，实现了磁光信号测量能力的显著跨越，更推动了磁畴观测从定性走向精确定量表征的新阶段，持续为前沿磁性与自旋研究赋能。

挑战一：在测量面内磁化薄膜时，信号极其微弱，传统设备需手动调节偏振组件操作复杂，且难以捕捉有效数据。

我们的方案：托托科技磁光克尔显微镜独有的Digital Olique®光学系统数字化技术，通过数字倾角控制技术，可实现程控的分区照明，倾斜角度的控制精度更可达到0.03°。客户无需手动调节，系统将自动完成光路优化与对准，测量结果的重复性极佳，确保您能轻松、可靠地探测到低至2nm的面内Po/Co/Ta薄膜信号。

磁光克尔效应示意图

挑战二：传统磁性表征方法“加磁不加电，加电不测磁”，导致研究脱离器件真实工作状态，无法观测到最关键的磁动力学过程 。

我们的方案：本设备提供直流探针、高频探针，在精确施加直流、脉冲、微波乃至光驱动等多激励源信号的同时，同步观测磁畴动态，一站式实现电、磁、光信号的同步采集与关联分析。

反常霍尔（上）与磁滞回线（下）光电同步测试、相互验证

挑战三：在观测亚微米或周期性纳米结构时，传统设备的空间分辨率不足，导致观测到的磁畴图像模糊、轮廓不清，因此错失判定磁化分布、畴壁类型与动态行为的关键细节，使研究停留在推测层面。

我们的方案：本设备的核心优势之一，是具备优于0.5μm的显微磁畴空间分辨率，您将能清晰探测、精准定位定量分析以往模糊的微观磁结构。即使对于几十纳米宽的畴壁，系统也能将其勾勒为锐利的边界；对于亚微米尺度的纳米点磁畴阵列，更能清晰分辨其独立单元。

这为精确统计磁畴尺寸、量化畴壁运动、以及表征纳米磁性器件的实际磁态提供了无可替代的直观证据，让您的研究结论建立在清晰、确定的观测基础之上。

(a)为样品Ta(4 nm)/CoFeB(0.7 nm)/MgO(2 nm)/Ta(2 nm)在磁场的驱动实现磁畴运动和翻转，树枝状磁畴，磁矩“1”和“0”信息状态清晰可见。彩色环带表示磁畴壁，白色小箭头表示的是奈尔畴壁中磁矩方向，表示磁畴运动方向。

(b)为样品CoTb(6 nm)/SiN(4 nm)在零磁场附近出现迷宫畴以及孤立斯格明子磁泡结构(Skyrmions Bubble)，图中单个稳定的Skyrmions Bubble的尺寸为1μm。为研究基于SK-RM赛道存储器提供光学无损伤探测支持。

1微米光刻磁畴测试

YIG样品 斯格明子磁畴

挑战四：在表征多晶样品、复合薄膜或存在应力梯度的材料时，不同晶粒或区域的磁光响应强度往往差异巨大。传统设备大多成像图像过曝或欠曝的区域无法用于定量分析，导致磁滞回线测量或磁畴统计时数据不完整或失真。

我们的方案：设备搭载了动态范围高达30000:1的科学级相机，在一次曝光中同时捕获极强和极弱的磁光信号，使得强磁区、弱磁区、以及边界（畴壁）的灰度过渡平滑、细腻，图像层次感极强，您将获得高保真、可定量分析的全场磁畴图像，为您的研究提供坚实可靠的量化数据。

应用案例

应用一、垂直磁各向异性样品磁畴成像与磁滞回线测量

1个原子层厚度(≈0.4nm)的磁性薄膜标样

应用二、面内磁各向异性样品磁畴成像与磁滞回线测量

(a)面内磁各向异性样品，纵向-磁光克尔测试装置示意图。

(b)为样品Pt(4nm)/Co(5nm)/Ta(2nm)在磁场的驱动实现磁畴运动和翻转，磁矩“1”和“0”信息状态清晰可见。

(c)为样品的磁滞回线，纵坐标为归一化的磁光克尔信号，横坐标为面内扫描磁场。

由托托科技全新定义的磁光系统测量低至2nm的面内薄膜

（标样：Si/Pt 1.5/Co t/Ta 4, unit in nm，@20X obj NA0.42）

应用三、电流驱动的磁性翻转

磁畴成像辅助测量，有助于实现多角度解释电输运信号中的反常信号，以及阈值电流下的磁畴取向与状态。

(a) FePt(10nm)样品电输运表征与磁光克尔实现同步测试装置示意图。

(b)和(c)电流驱动磁矩翻转和磁畴运动。沿FePt薄膜生长方向出现分层，呈现阶段式翻转，如同神经突触收到多个阈值信息产生信息传递。

施加不同方向辅助场Hx，样品磁畴翻转极性发生转变，如上图(b)所示。

脉冲驱动磁畴翻转

应用四、2D材料磁畴检测

二维铁磁材料的发现为基础物理和下一代自旋电子学打开了大门，其单晶层状结构给磁性表征带来了极大的挑战，磁光克尔效应是表征其磁畴状态的高效技术手段。

290K下,样品CuCr2Te/Cr2Te3，磁场驱动磁畴翻转。上图显示的是180Oe磁场下的磁畴态,下图显示的是-180Oe磁场下的磁畴态。

应用五、梯度自旋流累积

(a)Pt(up to 3.2 nm)/Co(0.6 nm)/Pt(1.5 nm)楔形样品构建梯度自旋流积累，实现无场翻转

(b)(c) I=10 mA，Hx= 0Oe，Hall Bar成核过程及对应的磁滞回线

(d)(e) I=22 mA，Hx= 0Oe，Hall Bar 成核过程及对应的磁滞回线

样品测试数据

托托科技磁光克尔显微镜

联系电话：400 856 0670

邮箱：marketing@tuotuot.com

设备搭载专利Digital Olique®光学系统，倾斜角度的控制精度更可达到0.03°，无需手动调控，可完成全自动光路优化，测量重复性极佳。可探测低至2nm面内薄膜信号和1个原子层厚度的垂直各向异性薄膜。另外，设备具备优于0.5μm的显微磁畴空间分辨率，能清晰分辨纳米畴壁与磁畴阵列。

设备同时支持直流、脉冲、微波及光驱动等多激励源，并能同步观测磁畴动态，一站式实现电、磁、光信号的关联采集与分析。 

磁光克尔效应历经百年发展，从现象揭示到机理阐明，再到观测技术的数字化与精准化，持续推动着磁学与自旋电子学研究的深入。展望未来，随着磁性材料与自旋器件不断迈向纳米化与功能化，磁光克尔显微镜将继续作为关键工具，为揭示磁畴动态机理、赋能新一代信息存储与逻辑器件研发提供坚实支撑，助力前沿科技从实验室走向产业应用。