赋能微纳制造，引领科研创新丨托托科技•无掩模紫外光刻机2025年度总结

在实验室，一个颠覆性研究构想从诞生到落地，常被传统微纳加工的高成本、长周期和僵化迭代所阻碍。每一次设计修改，都意味数周等待与可观耗费，创新火花在流程中悄然黯淡。

如何破局？托托科技·无掩模紫外光刻机，正是您手中的“数字画笔”。我们将数字化设计直接、快速、精准地转化为微纳结构，无需掩模版，即可在硅片、氧化硅片、玻璃片、石英片、蓝宝石片、乃至砷化镓片、氮化镓片等第二代/第三代半导体，以及各类柔性衬底与新型功能材料上自由 书写，极大加速研发迭代。

最佳佐证：真正的价值由用户创造

2025年，我们的设备直接支撑了全球科研团队产出近百篇高水平论文，不仅在《Nature Electronics》、《Nature Nanotechnology》这类综合性顶刊中展现，更在材料、器件、物理等细分领域的权威期刊，如《Advanced Materials》、《Nature Communications》与《Advanced Functional Materials》上实现多篇论文的集中产出。

这些丰硕的成果遍布从基础科学到前沿应用的各个角落。我们撷取其中几个方向，为您讲述托托科技的无掩模紫外光刻机是如何成为关键科研突破的“神助攻”。

1. 二维材料与纳米电子学的“精密画笔”

在二维材料研究中，电极与器件结构的微纳精度直接决定电学性能极限。托托科技的无掩模紫外光刻机，成为了科研人员在超薄材料上“绘制”高性能电路的可靠工具。

麻省理工学院、南洋理工大学等团队在《Nature Electronics》上报道了一种无残留晶圆级二维材料压印技术。该研究利用本设备制备SiO₂模具，成功实现了二维材料的大面积、高保真图案化，避免了传统工艺中的污染问题，显著提升了器件均匀性与良率。

Doi：10.1038/s41928-025-01408-z

此外，中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所团队在《Advanced Materials》中，通过区域选择性掺杂技术提升碳纳米管晶体管性能，利用本设备制备关键电极结构，有效降低了接触电阻，为高性能碳基电子器件与集成电路的开发奠定了工艺基础。

Doi：10.1002/adma.202415442

2. 光电探测与成像技术的“赋能引擎”

从红外到紫外，从偏振到宽谱，现代光电探测器的性能突破离不开精密电极与异质结的制备。我们的设备为各类光电材料与器件提供了高分辨率、高灵活度的图形化解决方案。

新加坡国立大学、澳门大学等团队在《Nature Nanotechnology》上报道了基于SnTe薄膜的超宽带非线性霍尔整流器件，该器件可在零偏压下实现从MHz到THz的环境能量收集。研究中关键电极结构的图案化工作由本设备完成。

Doi：10.1038/s41565-025-01993-2

此外，中山大学团队在《Advanced Materials》中成功研制出具有创纪录长波红外探测能力的柔性二维材料Ta2PtSe7探测器，其高性能的实现得益于本设备所制备的高精度电极，为可穿戴红外传感与成像提供了新途径。

Doi：10.1002/adma.202508255

3. 神经形态计算与人工智能硬件的“构建基石”

神经形态器件集成传感、存储与计算于一体，结构复杂且需快速迭代。无掩模紫外光刻技术的灵活性正成为该领域从概念到芯片的关键推动力。

华南师范大学、广东工业大学团队在《Advanced Materials》上展示了一种集成光传感、存储与视觉突触功能的神经形态晶体管。该团队利用本设备进行电极图案化，实现了高达95.26%的图像识别准确率，为低功耗人工视觉芯片开发奠定了硬件基础。

Doi：10.1002/adma.202419208

同时，华南师范大学团队在《Advanced Functional Materials》中，基于MoS₂/β-Ga₂O₃异质结开发出可用深紫外光编程的非易失性存储器，其器件电极通过本设备加工，展现出高开关比与低功耗特性，并成功应用于神经网络计算。

Doi：10.1002/adfm.202508292

4. 新型存储器与逻辑器件的“创新工坊”

新型存储器与逻辑器件的性能突破，关键在于其核心结构的微纳化与集成化。我们的设备为这类前沿器件的快速原型制备与多轮迭代提供了核心支持，正推动着存算一体与超越传统架构的硬件发展。

新加坡国立大学、北京航空航天大学团队在《Nature Communications》中提出了一种基于电流方向矢量的自旋逻辑器件，可在单个器件中实现多种布尔逻辑运算。该创新器件的微纳加工全程依托托托科技无掩模紫外光刻机完成。

Doi：10.1038/s41467-025-58225-3

此外，厦门大学团队在《Materials Today》上报道了通过等离子体调控ReS₂忆阻器极性的研究，利用本设备图案化忆阻器阵列，构建了具备稳定性-可塑性协同的级联神经形态网络，实现了高精度图像识别。

Doi：10.1016/j.mattod.2025.08.031

5. 异质集成与界面工程的“集成专家”

超越单一材料，通过二维异质结、高κ介质集成等途径构建多功能器件，是后摩尔时代的重要方向。这其中，层间界面与电极结构的精密制造至关重要。本设备在此类复杂的多层异质结构制备中，提供了至关重要的高精度对准与图形化能力，是实现功能性集成器件、突破传统硅基极限的关键工艺平台。

中南大学、湖南大学等多家机构在《Nature Communications》上合作报道了一种二维边缘诱导异质外延生长超薄高κ介质CaNb₂O₆的方法，并成功集成于MoS₂晶体管中。该研究中金属-绝缘体-金属电容器等关键结构的电极图案化由本设备实现。

Doi：10.1038/s41467-025-57773-y

华南师范大学团队在同一期刊上发表了关于层状MoO₃栅介质的研究，将其等效氧化层厚度降至0.9纳米，并构建了高性能二维晶体管与垂直堆叠CMOS反相器，其全部电极制备工作均依托本设备完成。

Doi：10.1038/s41467-025-61972-y

硬核支撑：我们的设备为何是“神助攻”

客户的卓越成果，根植于我们设备设计的核心基因。这些技术参数，最终转化为用户手中的实实在在的科研生产力：

优势一：“无掩模”=“极致的研发速度与自由度”

彻底告别掩模版（光罩）的漫长制作周期与高昂成本。设计图纸（GDS, DXF\DWG等）一键上传，即可直写曝光。今日灵感，今日流片，将科研迭代周期从“月”缩短至“天”甚至“小时”，让创意验证不再等待。

优势二：“高分辨率与卓越均匀性”

设备提供最小0.4µm的加工特征尺寸，能清晰定义的任意图形的最小尺寸，如点、孔、线的直径，且整场均匀性优异，确保了复杂微纳结构（如光栅、光子晶体、微电极阵列）的形状保真度，保障设计意图的准确实现。

感恩信赖：托托科技愿与全球创新者同行

我们衷心感谢全球数百家实验室、每一位科研伙伴的信任。正是你们的前沿探索，不断拓展着技术的边界，也鞭策我们持续进步。每一篇熠熠生辉的论文，都是我们与用户携手创新的里程碑。

展望未来，托托科技将继续深耕微纳光学加工与检测技术，致力于让设备更智能、更快速、更易用。我们的愿景不仅是提供一台精密的仪器，更是成为您探索未知、定义未来的可靠伙伴。

您的下一个伟大构想，值得被更快地实现。

欢迎访问我们的官网，深入了解这些成功案例背后的技术细节，并探索我们的全系列解决方案。

如果您正准备启动一个激动人心的项目，渴望一种更敏捷、更高效的微纳制造方式，请随时联系我们。

电话：400-856-0670

邮箱：marketing@tuotuot.com

网站：www.tuotuot.cn