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产品介绍

磁光克尔显微镜综合测试设备,显微磁畴空间分辨率优于0.5微米,磁光克尔角分辨率优于0.1毫度,支持极向克尔、纵向克尔、横向克尔三种磁光克尔效应测量方式。在追踪平面内数百万点的磁畴动态信息的同时,可搭配探针台实现电学、磁学、光学同步观测。广泛应用于磁学和自旋电子学领域中磁光克尔效应,磁滞回线,磁畴翻转或扩展等观测。
应用案例

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磁性薄膜材料显微磁畴测量
(a)为样品 CoTb(6 nm)/SiN(4 nm)在零磁场附近出现迷宫畴以及孤立斯格明子磁泡结构(Skyrmions Bubble),图中单个稳定的Skyrmions Bubble 的尺寸为1 μm。为研究基于 SK-RM赛道存储器提供光学无损伤探测支持。
(b)为样品 Pt(4 nm)/Co (5 nm)/Ta(2 nm)在磁场的驱动实现磁畴运动和翻转,磁矩“1”和“0”信息状态清晰可见。
(c)290K下,样品CuCr2Te/Cr2Te3,磁场驱动磁畴翻转。上图显示的是 180 Oe磁场下的磁畴态,下图显示的是 -180 Oe 磁场下的磁畴态。 -
电流驱动的磁性翻转
(a) FePt(10 nm)样品电输运表征与磁光克尔实现同步测试装置示意图。
(b)和(c)电流驱动磁矩翻转和磁畴运动。沿FePt薄膜生长方向出现分层,呈现阶段式翻转,如同神经突触收到多个阈值信息产生信息传递。 施加不同方向辅助场Hx ,样品磁畴翻转极性发生转变,如上图(b)所示。 磁畴成像辅助测量,有助于实现多角度解释电输运信号中的反常信号,以及阈值电流下的磁畴取向与状态。 -
梯度自旋流累积
(a)Pt(up to 3.2 nm)/Co(0.6 nm)/Pt(1.5 nm)楔形样品构建梯度自旋流积累,实现无场翻转;
(b)和(d),表示不同电流密度下,磁畴成核过程。(I=10 mA,Hx = 0 Oe)/( I=22 mA,Hx = 0 Oe) Hall Bar磁畴成核过程。测试电流小时,薄膜样品磁畴在十字中心位置成核(紫色圆圈);当测试电流逐渐变大,磁畴在十字臂一侧成核(紫色方形);
(c)和(e),表示不同电流密度下,磁滞回线。(I=10 mA,Hx = 0 Oe)/( I=22 mA,Hx = 0 Oe)下的磁滞回线。大电流密度有助于磁场驱动磁畴翻转。 -
梯度自旋流实现无场翻转
(a)在外磁场HZ=0 Oe,HX=0 Oe下,脉冲电流实现磁畴无场翻转及对应的翻转回线。1,2,3,…6表示负向的脉冲电流不断增加直至磁畴翻转图片;
(b)a,b,c…f表示正向电流不断增加直至磁畴翻转。其中顶层Pt厚度为2.5nm。 -
DMI有效场以及磁畴速度测试
(a)DMI有效场(HDMI) 测量装置。
(b)垂直各向异性样品在面内磁场作用下,发生各向异性翻转。
(c)不同覆盖层的异质结样品,其磁畴运动速度随面内辅助磁场的变化
(d)DMI有效场导致磁畴翻转过程中出现倾斜角且DMI越大倾斜角越大。
视频展示

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