客户成果丨江南大学《Advanced Science》基于底部肖特基接触的超快自驱动WSe2光电探测器

二维材料通过垂直或横向堆叠不同的二维材料所形成的异质结构，可实现整流、光伏转换、载流子分离等功能。然而，这类异质结构的制备通常依赖复杂的转移技术，容易引入界面污染和空隙，从而损害器件的稳定性与可扩展性。相比之下，通过在同一二维材料内局部调控电子特性而构建的同质结策略，具有界面原子级平整、晶格完美匹配和高效载流子输运等显著优势。此外，金属电极制备过程中的高能金属原子轰击二维材料，产生严重的界面损伤及费米能级钉扎现象。因此，研究人员设计一种基于Cr/WSe2/Au的底部电极肖特基光电探测器，通过底部内嵌电极与顶部的Se缓冲层实现低损伤的界面接触，实现超快速光响应和优异的光电性能。

2025-09-12

客户成果丨华南师范大学《Nat Commun》用于二维电子器件的等效氧化层厚度小于1 nm的MoO3电介质的可控生长

华南师范大学电子科学与工程学院（微电子学院）霍能杰研究员课题组在二维电子器件领域取得最新进展，该研究成果以“Controllable growth of MoO3 dielectrics with sub-1nm equivalent oxide thickness for 2D electronics”为题发表在Nature Communications上。

2025-09-12

新加坡国立大学《Small》磁各向异性和梯度诱导的Dzyaloshinskii - Moriya相互作用对磁斯格明子形成的影响

新加坡国立大学材料科学与工程系的陈景升教授课题组与Nebraska-Lincoln大学机械与材料工程系的Abdelghani Laraoui教授课题组合作，在磁斯格明子的研究中取得最新进展，该研究成果以“Effect of Magnetic Anisotropy and Gradient-Induced Dzyaloshinskii-Moriya Interaction on the Formation of Magnetic Skyrmions”为题发表在《Small》上。

2025-09-05

客户成果丨南洋理工大学《Nature Electronics》晶圆级二维材料的无残留直接压印

二维（2D）半导体由于其原子厚度和优异的电学和光学特性，是一种很有前景的半导体材料，可用于晶体管的持续缩放。近些年，二维材料界在器件的概念验证演示和晶圆级薄膜的合成方面取得了重要进展。目前，在高通量电子制造中如何实现良好均匀性和高成品率是将2D电子从实验室过渡到工业规模集成电路的关键挑战。这通常由于器件制造过程中在2D半导体表面引入化学物质和聚合物残留所导致，这些污染物作为散射或掺杂效应的来源，会随机破坏了2D沟道材料的电性能，从而降低了大面积电子器件的均匀性和良率。

2025-09-05

客户成果丨华南师范大学《Advanced Functional Materials》：具有多控制状态的偏振光电探测器用于多值编码通信和偏振图像应用

偏振光探测器因其能够额外探测光的偏振状态，在光通信、偏振成像以及光学信息处理等领域展现出巨大的应用潜力。然而，目前主流的偏振光探测器主要依赖于各向异性光吸收导致的光电流幅值变化来区分偏振状态，这种方式通常仅能提供固定且有限的偏振比（PR）值。由于探测器的偏振比受限，其在光通信中的数据编码能力受到约束，难以实现高容量的信息传输，从而降低了光通信系统的效率。同时，在偏振成像应用中，探测器对不同偏振状态的光响应变化较小，导致成像对比度不足，使得目标识别精度较低，尤其是在复杂光照环境或多角度成像条件下，难以准确提取物体的偏振信息。因此，如何突破传统偏振探测机制的限制，提升偏振光探测器的调控能力，进而提高其在光通信和偏振成像中的数据传输容量与成像精度，成为当前研究的重要方向。

2025-08-12

客户成果丨华南师范大学《AFM》：MoS2β-Ga2O3MLG异质结构非易失性存储器实现低功耗高精度图像识别

华南师范大学电子科学与工程学院（微电子学院）陈洪宇副研究员团队在非易失性存储器及应用领域取得最新进展。该项研究成果以“Energy-Efficient DUV Light Programming Nonvolatile Memory Based on MoS2/β-Ga2O3/MLG Heterostructures for Neuromorphic Computing”为题发表于《Advanced Functional Materials》期刊。

2025-08-07